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摘要:
用化学气相沉积的方法合成了ZnO纳米线,采用微栅模板法制得电极从而获得欧姆接触的单根ZnO纳米线半导体器件.通过研究60~300 K范围内的电阻变化情况,发现在整个温度区间内存在热激活和近程跳跃两种传输机制.在300,200,100K的条件下分别测试了器件的紫外光响应和恢复情况,结果表明:低温下器件对紫外光的敏感性提高,电流的恢复时间随着温度的降低而延长.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 单根ZnO纳米线低温条件下的电子输运及光敏性质
来源期刊 发光学报 学科 物理学
关键词 ZnO纳米线 低温 传输机制 紫外光敏
年,卷(期) 2014,(5) 所属期刊栏目 器件制备及器件物理
研究方向 页码范围 600-603
页数 4页 分类号 O484.4
字数 2191字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20143505.0600
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 唐欣月 哈尔滨师范大学物理与电子工程学院 5 6 2.0 2.0
2 杨守斌 哈尔滨师范大学物理与电子工程学院 11 20 3.0 3.0
3 顾海佳 哈尔滨师范大学物理与电子工程学院 2 1 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
ZnO纳米线
低温
传输机制
紫外光敏
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
出版文献量(篇)
4336
总下载数(次)
7
相关基金
黑龙江省自然科学基金
英文译名:
官方网址:http://jj.dragon.cn/zr/index.asp
项目类型:
学科类型:
论文1v1指导