正交相BaSi2薄膜的制备及结晶研究

• 作者: 徐虎 杨子义 郝正同
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: BaSi2薄膜 晶体结构 表面形貌 透射光谱 电学性质
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: TB44
• 字数: 3120字
• 语种: 中文

摘要

室温下采用磁控溅射的方法在p-Si(111)衬底上沉积Ba膜,然后置入高真空退火炉中在400～850℃退火12 h生成Ba的硅化物薄膜,对退火后的Ba-Si化合物进行了晶体结构、表面形貌、透射光谱及电学性质的测试分析,研究了退火温度对薄膜结晶的影响.实验结果表明,退火温度对生成Ba-Si化合物及薄膜的表面形貌影响很大,随着退火温度从400℃升高到800℃,薄膜的结晶情况逐渐改善,晶粒随着温度的升高逐渐增大;800℃对于生成多晶的BaSi2薄膜是一个比较理想的退火温度;850℃生成了多相共生的硅化物薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝正同	贵州大学新型光电子材料与技术研究所	7	68	2.0	7.0
2	杨子义	贵阳学院电子与通信工程学院	11	68	2.0	8.0
6	徐虎	贵州大学新型光电子材料与技术研究所	5	34	2.0	5.0