一种高电源抑制比的带隙基准电压源的设计

• 作者: 何颖 屠莉敏 易峰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准源 与绝对温度成正比 电源抑制比 低温度系数
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 页码范围: 31-33
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 字数: 875字
• 语种: 中文

摘要

提出一种采用BiCMOS工艺的低功耗、高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源（BGR）设计。该模块基本原理是利用具有正温度系数的热电压VT和具有负温度系数的双极型晶体管VBE叠加产生与温度和电源电压无关的基准电压VREF。该设计中带隙基准电压在25℃时，为1.242 V左右。温度从-40~120℃变化时，带隙基准电压变化10 mV，可以计算出温度系数为60×10-6℃-1。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何颖		23	77	4.0	8.0
2	屠莉敏		4	5	1.0	2.0
3	易峰		6	17	3.0	4.0