超越单晶硅III-V族可生成MOSFET

• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 材料 III-V族 MOSFET
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 应用专题
• 页码范围: 36-37
• 页数: 2页
• 分类号: TN304
• 字数: 1434字
• 语种: 中文

摘要

最高性能的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)将不再由单晶硅制成。根据近日在美国夏威夷檀香山举行的2014 VLSI技术研讨会上的研究人员们表示，未来，这种MOSFET 将改用III-V族材料在硅基板上生长而成。