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摘要:
利用二氧化钒的相变特性设计了一种温控太赫兹波吸收器.通过控制周围环境的温度来改变二氧化钒的电导率,从而实现二氧化钒从半导体态向金属态的转变.计算结果表明,当温度为40℃时,吸收器具有三个吸收峰,峰值频率分别为0.643,0.833和1.027 THz;当温度为67℃时,吸收器具有两个吸收峰,峰值频率分别为0.643THz和0.884 THz.各个峰值频率处均具有较高的吸收率,实现了良好吸收效果.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 基于二氧化钒的温控太赫兹波吸收器研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 太赫兹波 二氧化钒 吸收器 多频带 吸收率 温控
年,卷(期) 2014,(8) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 66-69
页数 4页 分类号 TN91
字数 2331字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2014.08.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李九生 中国计量学院信息工程学院 55 232 9.0 13.0
2 李嘉斌 中国计量学院信息工程学院 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
太赫兹波
二氧化钒
吸收器
多频带
吸收率
温控
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
5158
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31758
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