氮化镓纳米粒子的制备及光致发光研究

• 作者: 富松 沈龙海 石广立
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN纳米粒子 直接氮化法 光致发光
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 585-588
• 页数: 4页
• 分类号: O471.4|O482.31
• 字数: 1696字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143505.0585

摘要

采用直接氮化法制备出尺寸不同的GaN纳米粒子,分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱测试手段对所制样品进行表征和发光特性的研究.结果表明:所制备的两种GaN纳米粒子直径分别为100 nm和300 nm左右.在GaN纳米粒子的PL谱中,中心在357 nm的发射源于本征发光,中心在385 nm的发射带源于浅施主能级到价带的辐射复合,中心在560 nm左右的发射带源于浅施主能级到深受主能级间的施主-受主对辐射发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈龙海	沈阳理工大学理学院	23	41	4.0	5.0
2	石广立	沈阳理工大学理学院	5	8	2.0	2.0
3	富松	沈阳理工大学理学院	2	6	1.0	2.0