高阶兰姆波MEMS声表面波谐振器仿真研究

• 作者: 张万里 彭斌 李川 王瑜 舒琳 陈鹏
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 有限元法 声速 声表面波谐振器 高阶兰姆波 压电薄膜
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 876-879
• 页数: 4页
• 分类号: TN65
• 字数: 1183字
• 语种: 中文

摘要

以有限元法为基础,对高阶兰姆波型微机电系统(MEMS)声表面波谐振器进行了仿真.研究了压电材料及其厚度、Si基底厚度对高阶兰姆波声速的影响规律,结果表明,AlN压电薄膜器件的高阶兰姆波的声速比ZnO和LiNbO3器件更大.压电材料较薄时传播兰姆波,太厚时则传播瑞利波.高阶兰姆波的声速随着硅基底厚度增加而逐渐降低,并趋于一个稳定值.在此基础上,提出了在电极上方加载一层压电薄膜来提高兰姆波声速的器件结构,仿真结果表明,通过增加一层AlN薄膜,可提高高阶兰姆波的声速,进而提高器件的谐振频率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
2	彭斌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	87	638	12.0	21.0
3	陈鹏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	16	37	3.0	4.0
4	李川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	15	73	6.0	8.0
5	王瑜	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	20	2.0	4.0
6	舒琳	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	10	2.0	2.0