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摘要:
在边界迁移模型的基础上,用分离变量法推导出了忆阻器电流电压特性的解析公式,建立了一个可用于对忆阻器进行电路仿真的SPICE模型,对忆阻器中各个参数的影响进行了分析与比较.结果发现:减小角频率、增加开关电阻比或增加平均迁移率可以提高忆阻器在同一电流值下相应的电阻差值.
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文献信息
篇名 无源电子元件忆阻器的建模和参数分析
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 忆阻器 SPICE 器件建模 仿真 参数分析 无源电子器件
年,卷(期) 2014,(8) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 62-65
页数 4页 分类号 TM546
字数 2246字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2014.08.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱兆旻 江南大学电子工程系 11 20 3.0 4.0
2 王有航 江南大学电子工程系 1 5 1.0 1.0
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