硅通孔TSV关键降低成本和解决工艺路线

• 作者: 陈炳欣
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 制造工艺 硅通孔 TSV
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 应用专题
• 页码范围: 30-31
• 页数: 2页
• 分类号: TN405
• 字数: 2090字
• 语种: 中文

摘要

芯片工艺流程微缩和低介电值材料的限制，3D堆叠技术被视为能否以较小尺寸制造高效能芯片的关键，而硅通孔（TSV）可通过垂直导通整合晶圆堆叠的方式，达到芯片间的电路互连，有助于以更低的成本，提高系统的整合度与效能，是实现集成电路3D化的重要途径。未来，TSV的应用将取决于制造成本的进一步降低，业界对TSV发展途径的认识统一。