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摘要:
设计和制造了一种高效高功率的220 GHz倍频器,倍频器的有源器件是一只反向串联二极管芯片,它是由四个平面GaAs肖特基二极管通过线性阵列方式集成到一块芯片上.使用ADS和HFSS软件相结合的方法对220GHz倍频器的进行了仿真优化,首先利用HFSS三维电磁仿真准确建立二极管和波导的结构模型,再利用ADS线性和非线性谐波电路仿真来优化倍频电路的性能.在210~230 GHz的频带范围内,220 GHz倍频器在20 mW固定功率输入条件下测试,功率输出大于0.5 mW;在100 mW固定功率注入时,整个20 GHz频带范围内功率输出大于2.1 mW,在214 GHz处输出峰值功率5 mW,效率为5%.反向串联二极管单片上的二极管采用的是并联布局放置方式,这种方式将二极管产生的热量从二极管直接传导到波导腔体的金属导体壁上,利于散热.220 GHz倍频器的研制成功,证明了国产平面封装GaAs肖特基二极管的毫米波频段的应用能力,其研制方法对将来更高频率的电路设计具有借鉴意义.
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文献信息
篇名 基于平面GaAs肖特基二极管的220 GHz倍频器
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 220 GHz 毫米波 肖特基势垒二极管 倍频器 效率
年,卷(期) 2014,(11) 所属期刊栏目 半导体器件
研究方向 页码范围 826-830
页数 分类号 TN315.3|TN771
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.11.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 冯志红 38 81 5.0 5.0
3 邢东 8 27 4.0 4.0
4 杨大宝 中国电子科技集团公司第十三研究所 16 33 4.0 5.0
7 张立森 9 29 4.0 4.0
8 梁士雄 9 29 4.0 4.0
9 王俊龙 中国电子科技集团公司第十三研究所 1 4 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
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220 GHz
毫米波
肖特基势垒二极管
倍频器
效率
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