半导体材料从10nm向5nm发展

• 作者: An Steegen Chris Hobbs Raj Jammy
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 材料 芯片工艺
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 应用专题
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3573字
• 语种: 中文

摘要

随着晶体管向10nm、7nm甚至更小尺寸的发展，半导体行业面临着真正的材料选择困扰。基板、沟道、栅和接触材料都迫切需要评估。对于10nm和7nm来说，高K值金属栅将占主导地位，但真正的挑战将是沟道本身。在10nm节点，锗（Ge）很可能成为沟道材料之一。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	Raj Jammy		1	1	1.0	1.0
2	An Steegen		1	1	1.0	1.0
3	Chris Hobbs		1	1	1.0	1.0