RRAM的阻变特性研究

• 作者: 宋玲
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 阻变存储器 阻变 非易失存储器
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 24-25,29
• 页数: 3页
• 分类号: TP21
• 字数: 1020字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2014.04.008

摘要

阻变存储器（RRAM）是一种基于阻值变化来记录存储数据信息的非易失性存储器（NVM），RRAM具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低等诸多优点，因而受到广泛关注。主要从三方面论述 RRAM的阻变特性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋玲	中国电子科技集团公司第四十七研究所	9	35	4.0	5.0