铜膜高去除速率CMP碱性抛光液的研究及其性能测定

• 作者: 何彦刚 刘玉岭 孙鸣 张金 李洪波 李炎 王傲尘 闫辰奇
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碱性研磨液 铜CMP TSV技术 FA/O型螯合剂 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 应用技术 Applied Technology
• 页码范围: 74-79
• 页数: 6页
• 分类号: TG175
• 字数: 2953字
• 语种: 中文

摘要

目的：探索适合于TSV技术的最佳CMP工艺。方法在碱性条件下,利用碱性FA/O型鳌合剂极强的鳌合能力,对铜膜进行化学机械抛光,通过调节抛光工艺参数及抛光液配比,获得超高的抛光速率和较低的表面粗糙度。结果在压力27.56 kPa,流量175 mL/min,上下盘转速105/105 r/min,pH=11.0,温度40℃,氧化剂、磨料、螯合剂体积分数分别为1%,50%,10%的条件下,经过CMP平坦化,铜膜的去除速率达2067.245 nm/min,且表面粗糙度得到明显改善。结论该工艺能获得高抛光速率。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	何彦刚	河北工业大学微电子研究所	21	142	6.0	11.0
3	张金		29	200	9.0	13.0
4	孙鸣	河北工业大学微电子研究所	18	95	6.0	9.0
5	李炎	河北工业大学微电子研究所	15	30	3.0	4.0
6	李洪波	河北工业大学微电子研究所	7	21	2.0	4.0
10	王傲尘	河北工业大学微电子研究所	5	11	2.0	3.0
11	闫辰奇	河北工业大学微电子研究所	11	34	3.0	5.0