PECVD 工艺中氮化硅薄膜龟裂研究

• 作者: 唐冬 徐衡 林洪春
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体化学气相淀积 氮化硅薄膜 龟裂 钝化
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 21-23
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.95
• 字数: 1718字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2014.04.007

摘要

PE 氮化硅薄膜优异的物理、化学性能使其在半导体分立器件、IC 电路中常被用作绝缘层、钝化层而使用。然而，氮化硅龟裂问题是影响其作为钝化层使用的阻碍因素，因此，科学的氮化硅工艺条件对其薄膜质量的影响非常关键。给出了等离子体化学气相淀积（PECVD）氮化硅薄膜技术的原理，通过实验验证，确定了诱发氮化硅龟裂现象的原因，优化工艺条件，确定了 PECVD氮化硅的最佳工艺条件，杜绝了龟裂现象对氮化硅作为钝化层使用的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐冬	中国电子科技集团公司第四十七研究所	6	11	2.0	3.0
2	林洪春	中国电子科技集团公司第四十七研究所	3	2	1.0	1.0
3	徐衡	中国电子科技集团公司第四十七研究所	2	2	1.0	1.0