薄层液膜下直流电场对铜的腐蚀行为、氯离子迁移行为和枝晶生长的影响

• 作者: 潘志权 邱于兵 郭兴蓬 黄华良
• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 关键词: 铜 枝晶 迁移 直流电场 薄层液膜 印刷电路板
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: Mine Engineering, Metallurgical Engineering, Chemistry and Chemical Engineering
• 页码范围: 285-291
• 页数: 7页
• 字数: 497字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(14)63059-4

摘要

采用动电位极化和表面分析技术(SEM/EDS)，研究薄层液膜下直流电场对印刷电路板铜的腐蚀行为、氯离子迁移行为和枝晶生长的影响。结果表明：直流电场使铜的腐蚀减弱；氯离子在直流电场作用下由负极到正极发生定向迁移，并且富集于电场的正极，导致电场正极发生严重的局部腐蚀；枝晶生长于电场的负极，并且其速率和尺寸随着外加电压的增加和暴露时间的延长而分别加快和变大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘志权	武汉工程大学化工与制药学院	110	570	13.0	18.0
2	郭兴蓬	华中科技大学化学与化工学院	98	1274	21.0	29.0
3	邱于兵	华中科技大学化学与化工学院	25	246	9.0	15.0
4	黄华良	武汉工程大学化工与制药学院	7	24	3.0	4.0