国产碳化硅肖特基二极管研制与量产

• 作者: 周建民
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 碳化硅 肖特基二极管
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 新技术聚焦
• 页码范围: 20-21
• 页数: 2页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 2330字
• 语种: 中文

摘要

自晶闸管和功率晶体管问世和应用以来，硅半导体器件在功率处理能力和开关频率方面不断改善，先后诞生了GTR、GTO、MOSFET 和IGBT 等现代电力电子器件，对电力电子系统缩小体积、降低成本起到了极其关键的作用。硅电力电子器件经过近60年的发展，性能已经趋近其理论极限，通过器件原理的创新、结构的改善及制造工艺的进步已经难以大幅度的提升其总体性能，制约未来电力电子技术进一步发展。碳化硅肖特基功率器件以其优良特性和结构与制造工艺优势成功实现了商业化。