采用光致发光法和卢瑟福背散射法测定Alx Ga1－x N薄膜中的Al元素含量及斯托克斯移动研究

• 作者: 刘运传 周燕萍 孟祥艳 王康 王雪蓉
• 来源期刊: 计量技术
• 关键词: 光谱学 铝含量 弯曲因子 斯托克斯移动 光致发光 卢瑟福背散射 AlxGa1-xN薄膜
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 页码范围: 3-6,11
• 页数: 5页
• 字数: 3168字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0771.2014.11.01

摘要

采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1－xN半导体薄膜的禁带宽度，结合软件模拟计算AlxGa1－xN薄膜的弯曲因子b，测定了Alx Ga1－x N薄膜中的Al元素含量，同时采用卢瑟福背散射技术测定Alx Ga1－x N薄膜中的Al元素含量。结果显示，Alx Ga1－x N薄膜的激发光谱和吸收光谱测得的禁带宽度一致，说明Alx Ga1－x N薄膜中不存在斯托克斯移动，由Material Studio软件计算得到弯曲因子b为1.01eV，符合理论值；在卢瑟福背散射测量中，模拟谱和随机谱重合较好，能够准确测得Al元素含量。两种方法测定的Alx Ga1－x N外延膜样品中的Al组分含量基本一致，光致发光法结果比背散射法结果稍大，而且Al含量越小，测量结果越吻合。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘运传	中国兵器工业集团公司第五三研究所	31	80	5.0	7.0
2	孟祥艳	中国兵器工业集团公司第五三研究所	29	80	5.0	7.0
3	周燕萍	中国兵器工业集团公司第五三研究所	28	51	4.0	5.0
4	王雪蓉	中国兵器工业集团公司第五三研究所	22	35	3.0	4.0
5	王康	中国兵器工业集团公司第五三研究所	8	13	2.0	3.0