罗姆开始提供Si功率半导体新产品

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 功率半导体 SI 电源电路 导通电阻 开关损耗 罗姆 第一代产品 工作效率 快速开关 热破坏
• 年，卷（期）: bdtxx_2014,（4）
• 页码范围: 7-7
• 页数: 1页
• 分类号: TN386

摘要

【正】罗姆在"TECHNO-FRONTIER2014"(7月23~25日,东京有明国际会展中心)上展出了两种Si制功率半导体新产品。分别为第二代超结MOSFET(SJ-MOSFET)产品以及兼具IGBT和SJ-MOSFET优点的功率MOSFET"HybridMOS"。第二代SJ-MOSFET的导通电阻值比第一代产品降低了40%。备有重视低噪声的"EN系列"和比EN系列栅电容低且开关损耗低的"KN系列"。EN系列适合重视降低噪声的电源电路,KN系列适合重视工作效率的电源电路。