氧分压影响中频磁控溅射沉积SiO2薄膜光学性能研究

• 作者: 丁安邦 牟宗信 王海文
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧分压 非晶SiO2薄膜 光学特性 红外光谱
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 53-57
• 分类号: O484.5
• 语种: 中文

摘要

采用中频反应磁控溅射沉积非晶二氧化硅(a_SiO2)薄膜,用X射线衍射、原子力显微镜、傅里叶红外光谱等方法研究氧分压影响退火前、后的两种SiO2薄膜样品的微观结构、折射率和消光系数等特性的变化规律.结果显示:室温下,沉积速率随氧分压的增大而减小,有利于提高薄膜的光滑性和致密度;在不同氧分压下沉积的SiO2薄膜均为非晶态结构;氧分压为25％时,薄膜表面具有均匀、光滑、致密的性能特征;折射率和消光系数都依赖于氧分压,氧分压大于15％时,薄膜在600 nm处的折射率n约为1.45～1.47,消光系数低于10-4.这表明适当提高氧分压有利于获得光学性能较好的SiO2薄膜.傅里叶红外吸收光谱测试表明,随着氧分压的升高,Si-O-Si伸缩振动峰向高波数方向移动,较高氧分压下沉积的SiO2薄膜具有较高的化学结合能,且结构和性能更稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牟宗信	大连理工大学物理与光电工程学院	38	217	10.0	12.0
2	丁安邦	大连理工大学物理与光电工程学院	3	13	2.0	3.0