中国南车拟大力开发半导体IGBT项目 投资逾20亿元

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT技术 功率半导体器件 研究开发 中国 高功率密度 投资 电压等级 鉴定会
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 17-17
• 页数: 1页
• 分类号: TN303

摘要

近日，中国南车公司表示，公司下属的株洲所举办的“高压高功率密度IGBT芯片及其模块研究开发”项目鉴定会上，研制的国内唯一一款最大电压等级、最高功率密度的6500V高压IGBT芯片及其模块首次向外界亮相，该项目代表我国功率半导体器件行业IGBT技术的最高水平。