采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计

• 作者: 吴晨 张立军 毛凌锋 王子欧
• 来源期刊: 高技术通讯
• 关键词: 静态随机存储器(SRAM) 低功耗 钳位二极管 漏电流
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 先进制造与自动化技术
• 页码范围: 171-176
• 页数: 6页
• 字数: 3218字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3772/j.issn.1002-0470.2014.02.010

摘要

给出了一种设计低功耗静态随机存储器(SRAM)的技术,实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗.该技术采用源极偏压结构控制漏电流,将一个钳位二极管与NMOS管并联插入GND与SRAM单元的源极之间,当NMOS打开时SRAM进行正常的读写操作,而NMOS关闭则会将源极电压抬高至钳位电压,降低漏电流的同时保证了数据的稳定性;对SRAM结构进行独特的布局,引入Z译码电路,极大地减少每次操作时激活的存储单元数量,明显降低动态功耗;将power-gating技术与高阈值(high-Vth)器件相结合的低功耗设计应用于外围电路,进一步降低漏电流.基于UMC 55nm SPCMOS工艺制造了包含多个SRAM实例(instance)的测试芯片,测试结果证明了该技术的有效性与可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛凌锋	苏州大学城市轨道交通学院	14	28	3.0	4.0
2	王子欧	苏州大学城市轨道交通学院	20	58	4.0	6.0
3	张立军	苏州大学城市轨道交通学院	18	38	3.0	5.0
4	吴晨		1	2	1.0	1.0