沉积温度对GZO透明导电薄膜结构和性能的影响

• 作者: 侯金 兰椿 杨春勇 钟志有 龙路
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 GZO薄膜 沉积温度 光学性能 电学性能 品质因数
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 30-33,37
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3206字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2014.08.007

摘要

利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了镓掺杂氧化锌(GZO)透明导电薄膜,研究了沉积温度对GZO薄膜的结构、光学和电学性能的影响.结果表明:所制GZO薄膜具有(002)择优取向的六角纤锌矿结构,其折射率表现为正常色散特性,随着沉积温度的升高,所制薄膜的可见光区平均透过率单调增加,电阻率先减小后增大,晶粒尺寸和品质因数先增大后减小.当沉积温度为400℃时,所制GZO薄膜的晶粒尺寸最大(75.5 nm)、电阻率最低(1.27×10-3Ω·cm)、品质因数最高(699.2 S/cm),具有最佳的光电综合性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟志有	中南民族大学电子信息工程学院	67	360	11.0	14.0
5	杨春勇	中南民族大学电子信息工程学院	48	183	7.0	11.0
9	龙路	中南民族大学电子信息工程学院	11	55	4.0	7.0
10	兰椿	中南民族大学电子信息工程学院	6	43	4.0	6.0