用于LTE频段的低噪声放大器的仿真与设计

• 作者: 杨帆 陈德智
• 来源期刊: 信息技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 噪声系数 增益
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 87-89
• 页数: 3页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 1613字
• 语种: 中文

摘要

采用场效应晶体管ATF541M4设计了一个工作于LTE第38频段(2570MHz～2620MHz)的低噪声放大器.首先介绍设计低噪声放大器的理论基础,其次在ADS中进行仿真,最后将仿真结果与实测结果进行对比,得出结论.实测结果表明,该低噪声放大器在指定频率范围内噪声系数小于ldB,增益大于13dB,带内波动小于±0.25dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨帆	华东师范大学信息科学技术学院	62	487	11.0	20.0
2	陈德智	华东师范大学信息科学技术学院	12	72	4.0	8.0