基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器

• 作者: 乔倩 刘可为 刘益春 刘雷 单崇新 姜明明 张吉英 张振中 李炳辉 王双鹏 王立昆 申德振 赵东旭 郑剑 陈星 韩舜
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 立方MgZnO 深紫外探测器 光导增益
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1291-1296
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3757字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143511.1291

摘要

在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29 Zn0.71 O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件,30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm),对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相Mg-ZnO薄膜上的极薄的结构相变层引入了高密度的界面态,在立方相薄膜表面电极接触中起到了降低势垒、减小耗尽层宽度、增强电极注入电子的能力的作用,使得器件形成高的光导增益。