质子辐射损伤对单结GaAs/Ge太阳电池暗特性参数的影响

• 作者: 兰慕杰 吴宜勇 孙承月 岳龙 张延清 胡建民 郝明明
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 砷化镓太阳电池 质子辐射 暗特性 数值拟合
• 年，卷（期）: 2014,（18）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 188101-1-188101-7
• 页数: 1页
• 分类号: 81.40.Wx|88.40.hj|07.89.+b
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.188101

摘要

基于p-n结暗特性双指数模型,对经质子辐射后的单结GaAs/Ge太阳电池的暗特性I-V 曲线进行数值拟合,确定了单结GaAs/Ge太阳电池在辐射前后的四个暗特性特征参数,即串联电阻Rs、并联电阻Rsh、扩散电流Is1和复合电流Is2.研究结果表明,质子辐射后单结GaAs/Ge太阳电池的Rs, Rsh, Is1和Is2四个暗特性参数均发生显著变化.经低能质子辐射后,单结GaAs/Ge太阳电池的Rsh随位移损伤剂量的增加而减小,而Rs, Is1和Is2三个参数随位移损伤剂量的增加而增大,其中串联电阻随位移损伤剂量线性增加而与辐射质子能量无关.理论分析表明,上述参数的变化与质子辐射损伤区域分布有关.基区和发射区的损伤主要引起单结电池串联电阻和扩散电流的增加；结区的损伤导致并联电阻减小,复合电流增大.