硼源浓度对纳米金刚石薄膜掺硼的影响

• 作者: 崔晓慧 汪建华 熊礼威 邹伟 龚国华
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米金刚石薄膜 掺硼 硼源浓度 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与探索 Research and Exploration
• 页码范围: 6-9,24
• 页数: 5页
• 分类号: TG174.444|TB43
• 字数: 2403字
• 语种: 中文

摘要

目的：研究纳米金刚石薄膜生长掺硼的内在机理,实现对该过程的精确控制。方法采用微波等离子体化学气相沉积法,以氢气稀释的乙硼烷为硼源,进行纳米金刚石薄膜的生长过程掺硼实验,研究硼源浓度对掺硼纳米金刚石薄膜晶粒尺寸、表面粗糙度、表面电阻和表面硼原子浓度的影响。结果随着硼源浓度的增加,纳米金刚石薄膜的表面粗糙度和晶粒尺寸增大,表面电阻则先下降,而后趋于平衡。结论纳米金刚石薄膜掺硼后,表面电导性能可获得改善,表面粗糙度和晶粒尺寸则会增大。在700℃条件下掺硼15 min,最佳的硼源浓度(以硼烷占总气体流量的百分比计)为0.02%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪建华	武汉工程大学材料科学与工程学院	123	698	14.0	19.0
3	熊礼威	武汉工程大学材料科学与工程学院	37	243	9.0	14.0
5	崔晓慧	武汉工程大学材料科学与工程学院	8	47	3.0	6.0
7	龚国华	武汉工程大学材料科学与工程学院	5	11	2.0	3.0