高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究

• 作者: 何燕冬 吕垠轩 张钢刚 李哲
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 正偏置温度不稳定性(PBTI) 高介电常数栅介质 绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(SOI MOSFET) 退化 应力诱导漏电流(SILC)
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 637-641
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.13209/j.0479-8023.2014.094

摘要

对高κ栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响.结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势,但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例,这会对器件的寿命预测带来影响.最后给出在PBTI应力条件下,界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李哲	北京大学微电子学研究院教育部微电子器件与电路重点实验室	6	7	2.0	2.0
2	张钢刚	北京大学微电子学研究院教育部微电子器件与电路重点实验室	9	16	3.0	3.0
3	何燕冬	北京大学微电子学研究院教育部微电子器件与电路重点实验室	9	24	2.0	4.0
4	吕垠轩	北京大学微电子学研究院教育部微电子器件与电路重点实验室	2	3	1.0	1.0