GaAs(001)表面重构

• 作者: 丁召 周勋 王继红 罗子江 郭祥
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: RHEED STM GaAs(001) 表面重构
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 15-19,29
• 页数: 6页
• 分类号: TN3|O47
• 字数: 3913字
• 语种: 中文

摘要

GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点.重点回顾了几十年来研究者们对于GaAs(001)表面重构的研究成果,结合所在实验室最近的实验数据,对GaAs(001)表面重构的相关研究成果进行了汇总和遴选,重点讲述了在实际应用中常用的几种表面重构;从富As表面的C(4×4)重构、不同(2×4)重构到逐渐富Ga的(n×6)重构、(4×2)重构,结合RHEED衍射花样、STM扫描图片以及球棍模型,对它们的倒、实空间图像以及理论模型都进行了深入的探讨和研究,为将来进行GaAs(001)表面的更深入研究打下基础并提供数据和理论支持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗子江	贵州财经大学教育管理学院	46	63	4.0	6.0
5	王继红	贵州大学理学院	24	46	3.0	5.0
6	周勋	贵州大学理学院	18	49	4.0	6.0
8	郭祥	贵州大学理学院	25	32	3.0	4.0
9	丁召	贵州大学理学院	67	161	6.0	8.0