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摘要:
通过传输矩阵法,对负介电常数材料和负磁导率材料组成一维光子晶体的多量子阱结构的共振隧穿特性进行了研究。结果表明,该结构中存在不受入射角和偏振模式影响的全方向共振隧穿模,其数量可以通过调节结构周期数来实现。共振峰的品质因子可以由外部障碍光子晶体的厚度比例调整。在研究单负材料损耗时,发现电损耗对低频处共振模影响大,而磁损耗对高频和低频处都有较大影响。
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文献信息
篇名 单负材料组成光子晶体的多量子阱结构
来源期刊 发光学报 学科 物理学
关键词 单负材料 多量子阱结构 光子晶体
年,卷(期) 2014,(12) 所属期刊栏目 发光学应用及交叉前沿
研究方向 页码范围 1495-1499
页数 5页 分类号 O431
字数 2571字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20143512.1495
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研究主题发展历程
节点文献
单负材料
多量子阱结构
光子晶体
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发光学报
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长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
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