SOI高压器件热载流子退化研究

• 作者: 何燕冬 张钢刚 韩临
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 高压横向扩散场效应晶体管 多区域直流电压电流技术 界面态 热载流子退化
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 632-636
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13209/j.0479-8023.2014.093

摘要

提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法--MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律.针对界面陷阱的位置对LDMOS器件电学特性的影响进行分析,结果显示,在最大衬底电流应力模式下,产生的导通电阻退化最为严重,从而揭示不同于传统MOSFET器件导致LDMOS器件热载流子退化的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张钢刚	北京大学微电子学研究院教育部微电子器件与电路重点实验室	9	16	3.0	3.0
2	韩临	北京大学微电子学研究院教育部微电子器件与电路重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	何燕冬	北京大学微电子学研究院教育部微电子器件与电路重点实验室	9	24	2.0	4.0