基于VLD技术的MCT器件仿真分析

• 作者: 孙瑞泽 张波 彭朝飞 阮建新 陈万军
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: MCT VLD 击穿电压 电流能力
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 2205字
• 语种: 中文

摘要

针对在脉冲功率领域有一定应用的栅控晶闸管（MCT）器件，提出了一种基于VLD（横向变掺杂）技术的MCT（VMCT）器件新工艺并通过仿真比较出新工艺的优势。VLD技术是指通过调整掩模版窗口的大小调节杂质掺杂浓度，进而优化MCT中NPN晶体管的电流放大系数a，通过仿真确定了新工艺的杂质注入剂量。仿真结果表明采用新工艺的VMCT器件比采用常规工艺MCT （CMCT）电流能力更强，是CMCT的2倍；和CMCT相比，VMCT器件的耐压和关断电压都保持不变，但是VMCT在工艺流程中比MCT节省一张掩模版。