MPCVD法合成金刚石膜的基片影响因素

• 作者: 芦宝娟
• 来源期刊: 中国胶粘剂
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 读者园地
• 页码范围: 56-58
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

以乙醇和氢气作为工作气源,采用微波等离子化学气相沉积(MPCVD)法在较低温度时制备了金刚石膜,并探讨了基片位置、基片温度对金刚石膜生长的影响.结果表明:当基片置于等离子球边缘处、基片温度为810℃时,沉积所得金刚石膜的质量相对最好,其体积电阻率(0.82× 1013Ω· cm)相对最大. 0 前言 随着集成电路技术的迅速发展,电子产品的尺寸越来越小,其散热性能已成为影响电子产品寿命的主要因素之一.在高分子基体或无机硅酸盐基体中,通过添加高导热绝缘填料制成的复合材料,可有效提高材料的导热性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	芦宝娟		15	7	2.0	2.0