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FinFET工艺Intel微构架对决IBM低功耗
FinFET工艺Intel微构架对决IBM低功耗
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
集成电路
制造工艺
FinFET
摘要:
全球集成电路产业界主要的半导体制造商与晶圆代工厂一直在努力打造足以与英特尔(Intel)竞争的3D FinFET工艺技术,试图挑战这个多年来一直由英特尔主导的领域。长久以来能与英特尔相抗衡的也只有IBM。参与IEDM的工程师们对于IBM与英特尔的惊人技术进展感到赞叹。
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文献信息
篇名
FinFET工艺Intel微构架对决IBM低功耗
来源期刊
集成电路应用
学科
工学
关键词
集成电路
制造工艺
FinFET
年,卷(期)
2014,(12)
所属期刊栏目
新技术聚焦
研究方向
页码范围
22-23
页数
2页
分类号
TN405
字数
1490字
语种
中文
DOI
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期刊影响力
集成电路应用
主办单位:
上海贝岭股份有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-2583
CN:
31-1325/TN
开本:
16开
出版地:
上海宜山路810号
邮发代号:
创刊时间:
1984
语种:
chi
出版文献量(篇)
4823
总下载数(次)
15
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