纳米氧化硅改性聚酰亚胺薄膜的制备与性能研究

• 作者: 周升 廖波 张步峰 王文进 田苗
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 耐电晕 聚酰亚胺薄膜 纳米氧化硅
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TM215.3|TM201.4+4
• 语种: 中文

摘要

使用共混法制备了纳米SiO2/聚酰亚胺复合薄膜，研究了纳米SiO2添加量对该复合薄膜力学性能、电气强度以及耐电晕性能的影响，并讨论了树脂体系的固含量对该复合薄膜耐电晕性能的影响。结果表明：随着SiO2添加量的增大，薄膜的拉伸强度变化不大，但断裂伸长率下降明显，电气强度先升高后降低，SiO2含量为6%时电气强度达到最大值，耐电晕性能提高。随着树脂固含量的增大，薄膜的耐电晕性能也随之提高，最佳树脂固含量为19%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周升		27	114	6.0	9.0
2	王文进		6	112	4.0	6.0
3	张步峰		14	108	5.0	10.0
4	廖波		8	94	5.0	8.0
5	田苗		3	55	3.0	3.0