DC-HCPCVD法低温低压下纳米金刚石膜的制备及生长特性研究

• 作者: 吴春雷 孙霄霄 尹龙承 金振宇 陈薇薇
• 来源期刊: 真空
• 学科: 化学
• 关键词: 直流热阴极 低温低压 纳米金刚石膜 电阻率
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 36-38
• 分类号: O613.71|TQ163
• 语种: 中文

摘要

在CH4/H2气氛下,利用直流热阴极PCVD (Plasma chemical vapor deposition)设备,在低温低压下制备纳米金刚石膜.对制备的样品通过扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪对其进行表征.结果表明:低温低压下制备的纳米膜,由于晶粒之间的团簇,导致表面粗糙度较大,拉曼测试中存在1132 cm-1处的反式聚乙炔的γ1谱峰及1190 cm-1处低聚乙烯的γ1峰,同时1550 cm-1处的G峰相对强度较高,非金刚石相成分较多,但膜的导电性能较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹龙承	牡丹江师范学院理学院	18	25	2.0	3.0
2	吴春雷	牡丹江师范学院理学院	20	56	5.0	6.0
3	孙霄霄	牡丹江师范学院工学院	16	13	2.0	3.0
4	陈薇薇	牡丹江师范学院理学院	11	30	3.0	4.0
5	金振宇		1	1	1.0	1.0