基于J750EX测试系统的SDRAM测试技术研究

• 作者: 何志伟 王征宇 章少云
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 同步动态随机存储器 DSIO J750EX
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 页码范围: 18-24,41
• 页数: 8页
• 分类号: TN407
• 字数: 5896字
• 语种: 中文

摘要

SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器）以其卓越的性能、低廉的价格得到了广泛的应用，但由于此类器件具有容量较大（通常为百兆级及以上）、对其实施控制较复杂等特点，使得SDRAM的测试也存在较高难度，因此，探索SDRAM的测试技术，并创建该类器件的测试平台也具有十分重要的意义。首先介绍了SDRAM的基本工作原理，其次详细阐述了基于J750EX测试系统的测试技术研究，提出了采用J750EX系统的DSIO资源实现SDRAM地址累加生成的方法，大大减少了测试矢量长度，可以有效节省测试开发时间，降低测试成本。另外，针对SDRAM的关键时序参数，如tRCD（行选通周期）、CL（读取潜伏期）、tWR（写回时间）等，使用测试系统为器件施加适当的控制激励，完成SDRAM复杂的时序配合，从而达到器件性能的测试要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王征宇		8	30	3.0	5.0
2	何志伟		2	3	1.0	1.0
3	章少云		1	1	1.0	1.0