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DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证
DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证
作者:
张丹丹
李天文
李威
杨海钢
高丽江
黄志洪
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
抗单粒子翻转(SEU)
三模冗余(TMR)
双互锁存储单元(DICE)
触发器
辐照实验
摘要:
分析了三模冗余(TMR)型D触发器和双互锁存储单元(DICE)型D触发器各自的优点和缺点,基于三模冗余和双互锁存储单元技术的(TMR&DICE)相融合方法,设计实现了基于双互锁存储单元技术的三模冗余D触发器.从电路级研究了TMR&DICE型D触发器抗单粒子翻转的性能,与其他传统类型电路结构的D触发器进行了抗单粒子翻转性能比较,并通过电路仿真和辐照实验进行了验证.仿真结果表明,TMR&DICE型D触发器的抗单粒子翻转性能明显优于传统的普通D触发器、TMR型D触发器和DICE型D触发器.辐照实验结果表明,TMR&DICE型D触发器具有最小的翻转截面.
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内容分析
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文献信息
篇名
DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
抗单粒子翻转(SEU)
三模冗余(TMR)
双互锁存储单元(DICE)
触发器
辐照实验
年,卷(期)
2014,(7)
所属期刊栏目
半导体集成电路
研究方向
页码范围
495-500
页数
分类号
TN43
字数
语种
中文
DOI
10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.07.003
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杨海钢
中国科学院电子学研究所
134
485
10.0
15.0
2
李威
中国科学院电子学研究所
69
909
13.0
29.0
3
黄志洪
中国科学院电子学研究所
16
24
3.0
4.0
7
张丹丹
中国科学院电子学研究所
25
260
8.0
15.0
13
李天文
中国科学院电子学研究所
8
19
3.0
4.0
17
高丽江
中国科学院电子学研究所
4
6
1.0
2.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
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共引文献
(4)
参考文献
(6)
节点文献
引证文献
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同被引文献
(11)
二级引证文献
(2)
1991(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1995(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1996(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
1997(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2000(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2002(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2004(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
2005(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2013(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2014(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2015(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2016(3)
引证文献(3)
二级引证文献(0)
2017(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2019(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2020(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
抗单粒子翻转(SEU)
三模冗余(TMR)
双互锁存储单元(DICE)
触发器
辐照实验
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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