具有数控衰减和放大功能的单片集成电路

• 作者: 刘会东 刘文杰 高学邦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带 多功能 放大器 衰减器 砷化镓
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 501-505,511
• 分类号: TN304.23|TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.07.004

摘要

报道了一款新颖单片集成电路,其集成了数控衰减功能及放大功能.在设计过程中,为实现单片集成电路的宽带特性,放大单元采用负反馈结构;为实现单片集成电路的低噪声特性和功率特性,精确测量器件的噪声特性,合理选择放大单元中器件的工作点,合理布局放大单元和衰减单元衔接顺序;为实现单片集成电路的高精度衰减特性,针对不同衰减量合理选择T型和π型结构.通过以上设计手段,该单片集成电路在1.5～7 GHz增益达到20 dB、噪声系数2 dB、1 dB压缩点输出功率高达18 dBm;能够实现1 dB步进、最大衰减量达到31 dB的衰减功能.该单片集成电路把三款单功能电路集成在一个芯片上,在实现同样功能的前提下大幅缩减芯片面积,有效降低成本.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
2	刘文杰	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	33	4.0	5.0
3	刘会东	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	7	2.0	2.0