铝分层诱导晶化非晶硅的研究

• 作者: 孙钦钦 李成 王鹏 陈松岩 黄巍
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 铝诱导晶化 双层结构 择优取向
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 704-710
• 页数: 7页
• 分类号: O782|TB34
• 字数: 4183字
• 语种: 中文
• DOI: 10.6043/j.issn.0438-0479.2014.05.014

摘要

铝诱导晶化(AIC)法是一种低成本、低温制备高质量多晶硅薄膜的方法.采用磁控溅射和自然氧化法在石英衬底上生长铝/三氧化二铝/非晶硅结构的材料,然后进行低温(低于硅铝共熔温度577℃)退火处理.通过共焦显微镜、扫描电子显微镜(SE M)、拉曼光谱(Raman)和X射线衍射(XRD)手段进行表征.结果表明,退火后薄膜分为两层,上层是铝、非晶硅和多晶硅的连续混合膜,随退火时间增加,上层晶化率快速增加;下层形成了完全晶化的大尺寸多晶硅晶粒,晶粒结晶质量接近单晶硅;增加退火时间,下层晶粒增长很缓慢;降低退火温度,下层晶粒尺寸明显增大;形成的多晶硅薄膜均具有高度(111)择优取向.并且,进一步地对上述退火过程中样品的变化行为作出分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈松岩	厦门大学物理与机电工程学院	68	248	8.0	12.0
2	李成	厦门大学物理与机电工程学院	45	140	7.0	11.0
3	王鹏	厦门大学物理与机电工程学院	50	180	7.0	11.0
4	孙钦钦	厦门大学物理与机电工程学院	2	7	1.0	2.0
5	黄巍	厦门大学物理与机电工程学院	11	9	2.0	2.0