碲镉汞长波探测器暗电流仿真分析

• 作者: 孙浩 朱西安 李龙
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 长波探测器 碲镉汞 Silvaco 仿真模拟 暗电流
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 73-78
• 页数: 6页
• 分类号: TN215
• 字数: 3377字
• 语种: 中文

摘要

针对n-on-p型长波Hg1-xCdxTe红外探测器的暗电流进行建模分析，分析了不同机制对暗电流的影响，仿真分析结果和实际结果能够较好地匹配。得出探测器的工作状态暗电流Idark＝9×10-10 A，工作电阻Rr＝109?，品质因子R0A＝20?cm2。从仿真分析结果得出，在现有工艺下，Shockley-Read-Hall （SRH）复合和表面漏电是影响暗电流的最主要的非本征因素，其中SRH复合速率为2×1016/s?cm3，当表面态到达1×1012 cm-2，器件会出现严重的表面沟道。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱西安		8	50	3.0	7.0
2	孙浩		15	51	3.0	7.0
3	李龙		2	5	2.0	2.0