PTCDA/P-Si光电探测器欧姆接触层的XPS测试分析

• 作者: 周星宇 张旭 张杰 张福甲 闫兆文
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机光电探测器 低阻欧姆接触层 反应机理 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1459-1463
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.93
• 字数: 3378字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143512.1459

摘要

在光电探测器PTCDA/P-Si芯片的有机层表面,成功制作出了比接触电阻为4.5×10-5Ω·cm2的低阻欧姆接触层。利用X射线光电子能谱( XPS)对Al/Ni/ITO的欧姆接触层界面的电子状态进行了测试和分析。结果表明,ITO中的In3d及Sn3d各出现两个分裂能级的谱峰,它们是In和Sn原子处于氧化环境的结合能。 Ni2p有两个谱峰Ni2p(1)及Ni2p(2),低结合能位置Ni2p(1)对应于Ni原子被X射线激发产生的谱峰,说明Ni-ITO之间没有发生化学反应,Ni层阻止了Al层被氧化成Al2 O3；高结合能Ni2p(2)谱峰说明已形成了Al3 Ni冶金相,有利于低阻欧姆接触层的形成。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张福甲	兰州大学物理科学与技术学院	71	318	9.0	14.0
2	张杰	兰州大学物理科学与技术学院	30	86	5.0	8.0
3	闫兆文	兰州大学物理科学与技术学院	3	4	1.0	1.0