自加热效应下AlGaInN电子阻挡层对LED性能的影响

• 作者: 徐进良 王天虎 王晓东
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 发光二极管 效率衰落 自加热 电子阻挡层 俄偈复合
• 年，卷（期）: 2014,（16）
• 所属期刊栏目: 工程热物理
• 页码范围: 1564-1572
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1007/s11434-014-0235-4

摘要

在自加热效应下,对有、无AlGaInN电子阻挡层的两种发光二极管芯片进行了数值研究.系统分析了芯片能带结构,载流子输运与分布特性,内部焦耳热和复合热特性,内量子效率衰落的物理机制,并讨论了不同俄偈复合系数在自加热效应下对效率衰落效应的影响.模拟结果表明:当在p-GaN层与活性层间插入AlGaInN电子阻挡层后,效率衰落效应得到显著改善,芯片结温明显升高.俄偈复合热不是内热源的主要贡献,可忽略不计.效率衰落效应受芯片结温影响不大,电子漏电流与俄偈复合是效率衰落的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐进良		120	474	11.0	16.0
2	王晓东		63	215	9.0	11.0
3	王天虎		3	2	1.0	1.0