纳米压印技术制备表面二维光子晶体发光二极管

• 作者: 刘宝林 曾凡明 朱丽虹 林飞 樊海涛 陈志远
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米压印 光子晶体 氮化镓 发光二极管
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 693-698
• 页数: 6页
• 分类号: O475
• 字数: 3857字
• 语种: 中文
• DOI: 10.6043/j.issn.0438-0479.2014.05.012

摘要

研究利用纳米压印技术在氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)表面制备二维光子晶体结构对器件出光的影响.利用聚合物(IPS)软模板二次压印技术,在样品表面形成较为完整的掩膜,通过感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺分别在p GaN层与ITO层成功制备了较大面积的光子晶体结构,结构周期为465 nm,孔状结构直径为245 nm.制成芯片后对样品进行测试,结果表明在LED表面制备二维光子晶体结构会导致LED芯片光谱峰值位置发生偏移,同时在p GaN层制备二维光子晶体结构能够将LED芯片的发光强度提高39％,而在ITO层所制备的光子晶体结构并未对器件的性能有显著的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宝林	厦门大学物理与机电工程学院	30	167	9.0	11.0
2	朱丽虹	厦门大学物理与机电工程学院	8	26	3.0	5.0
3	樊海涛	厦门大学化学化工学院	2	3	1.0	1.0
4	林飞	厦门大学物理与机电工程学院	4	48	3.0	4.0
5	曾凡明	厦门大学物理与机电工程学院	3	3	1.0	1.0
6	陈志远	厦门大学物理与机电工程学院	2	3	1.0	1.0