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摘要:
提出了一种基于6T像素结构的全局曝光CMOS图像传感器.通过采用PPD结构的6T像素、高复位电平和低阈值器件,提高了动态范围,并优化设计了像素单元的版图,使之获得较高的填充系数;模拟读出电路部分,通过采用双采样、增益放大和减小列级固定模式噪声(FPN)处理,以及对列选控制电路进行优化,减小了对全局PGA的运放设计要求.芯片的工作频率为20MHz,动态范围为66 dB,实现了全局曝光方式CMOS图像传感器的设计.
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文献信息
篇名 一种6T像素全局曝光CMOS图像传感器
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 6T像素 CMOS图像传感器 FPN PGA
年,卷(期) 2014,(5) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 764-767
页数 分类号 TN386.5
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李毅强 6 10 2.0 3.0
2 吴治军 10 29 4.0 4.0
3 阳怡伟 重庆邮电大学光电工程学院 2 7 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
6T像素
CMOS图像传感器
FPN
PGA
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
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22
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