三元稀土硅化物Gd2PdSi3单晶生长

• 作者: Wolfgang L?SER 刘林 徐义库 赵新宝 郭亚杰
• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 关键词: Gd2PdSi3 悬浮区熔 单晶生长 稀土化合物 沉淀
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: Functional Materials
• 页码范围: 115-119
• 页数: 5页
• 字数: 528字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(14)63035-1

摘要

采用光悬浮区熔法以3 mm/h 的生长速度制备 Gd2PdSi3单晶。该化合物表现为同成分熔融，其熔点在1700°C 左右。与Gd2PdSi3化学计量成分相比，制备的晶体中Pd含量略低，导致了熔区内Pd的富集以及实验过程中熔区温度的降低。采用标准成分给料棒制备的单晶内含有少量定向的 GdSi 沉淀，可以通过退火热处理减少其含量但并不能完全消除。采用给料棒成分微调的方法制备出不含GdSi沉淀的高质量Gd2PdSi3单晶。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘林	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	239	1878	21.0	30.0
2	徐义库	长安大学材料科学与工程学院	11	18	2.0	4.0
3	郭亚杰	长安大学材料科学与工程学院	14	11	2.0	2.0
4	赵新宝	长安大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0