采用Ag-Cu-Ti钎料真空钎焊SiO2f/SiO2复合陶瓷与C/C复合材料

• 作者: 吴世彪 熊华平 程耀永 陈波
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: SiO2f/SiO2复合陶瓷 C/C复合材料 Ag-Cu-Ti 界面反应层 抗剪强度
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与工艺
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 分类号: TG454
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2014.10.004

摘要

分别在880℃/10min和880℃/60min规范下,采用Ag Cu Ti活性钎料实现了SiO2f/SiO2复合陶瓷与C/C复合材料的真空钎焊连接,通过电子探针(EPMA)、能谱仪(XEDS)和X射线衍射仪(XRD)分析了接头微观组织,室温下测试了接头的抗剪强度.结果表明:两种规范下所得接头界面结合良好,接头中靠近两侧母材均形成了一层扩散反应层,钎缝基体主要由均匀的共晶组织组成.880℃/10min规范下钎焊接头界面产物依次为:SiO2f/SiO2 →Ti4 O7 →Ti5 Si4+ Cu(s,s)+Ag Cu共晶合金→TiC→C/C;对于880℃/60min规范下的接头,界面组织结构与保温10min的接头基本类似,但是不存在Cu(s,s),并且接头反应层明显增厚.880℃/60min条件下所得钎焊接头剪切强度平均值为16.6MPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊华平	北京航空材料研究院焊接与塑性成型研究所	59	438	11.0	16.0
2	程耀永	北京航空材料研究院焊接与塑性成型研究所	46	334	11.0	14.0
3	陈波	北京航空材料研究院焊接与塑性成型研究所	47	249	9.0	11.0
4	吴世彪	北京航空材料研究院焊接与塑性成型研究所	5	54	4.0	5.0