总剂量辐照效应模型在TDI-CCD器件中的应用

• 作者: 刘昌林 吕玉冰 李金 汪朝敏 王颖
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: TDI-CCD器件 总剂量辐照效应模型 缺陷 电荷转移效率
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 782-784
• 分类号: TN386.5
• 语种: 中文

摘要

介绍了抗辐射加固设计使用的总剂量辐照效应模型,研究了它在时间延迟积分电荷耦合器件(TDI-CCD)电荷转移效率参数衰减中的应用,并通过不同剂量60Coγ辐照试验,验证了该模型在TDI-CCD器件抗辐射加固设计中的应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王颖		8	30	3.0	5.0
2	吕玉冰		10	8	2.0	2.0
3	汪朝敏		9	12	2.0	3.0
4	刘昌林		5	8	2.0	2.0
5	李金		6	13	3.0	3.0