非桥氧空穴发光中心对铁钝化多孔硅光致发光的影响

• 作者: 张婷 方玉宏 陈景东
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 铁钝化 光致发光 非桥氧空穴 水热腐蚀
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1427-1431
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 3642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143512.1427

摘要

采用水热腐蚀法制备了铁钝化多孔硅样品，样品光致发光谱的荧光峰位于2.0 eV附近，半峰宽约为0.40 eV。激发波长从240 nm增大到440 nm的过程中，荧光峰先红移再蓝移，最后基本稳定，变化曲线呈勺型。通过分析15片发光多孔硅样品的统计结果，发现荧光峰逆转所对应的激发波长位于330 nm附近，相应的激发光子能量约为3.8 eV。样品光致发光谱随激发波长的勺型变化过程与≡Si—O↑和≡Si—O↑…H—O—Si≡两类非桥氧空穴发光中心共同作用时的发光行为一致。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张婷	闽南师范大学化学与环境学院	6	5	2.0	2.0
2	陈景东	闽南师范大学物理与信息工程学院	5	4	1.0	2.0
3	方玉宏	闽南师范大学物理与信息工程学院	2	0	0.0	0.0