Tips-PEN 薄膜载流子迁移率的稳态 SCLC 与阻抗谱法测量的研究

• 作者: 景亚霓 滕支刚 魏志芬
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: Tips-Pentacene 空间电荷限制电流 阻抗谱 迁移率
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 测试技术
• 页码范围: 1077-1082
• 页数: 6页
• 分类号: TN311+.5
• 字数: 4083字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20142906.1077

摘要

利用稳态 SCLC 法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的 Tips-PEN 薄膜的空穴迁移率,并对两种方法的测试结果进行比较和分析.测试样品是 p＋ Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag 构成的单载流子器件.稳态 SCLC 法测试的器件Tips-PEN 厚度为87 nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.21×10-5 cm2/(V??s)和0.0024(cm/V)1/2；阻抗谱法测试的器件 Tips-PEN 厚度为827 nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.219×10-5 cm2/(V??s)和0.00347(cm/V)1/2.稳态 SCLC 法得到的场依赖因子较小,呈现较弱的场依赖关系,其原因是为得到无陷阱模式下的稳态 SCLC 需要施加的电场远远高于阻抗谱测量时的电场,以至于注入较高的载流子浓度.这一结果显示了在较高载流子浓度下迁移率与场的依赖变弱,与理论模型和模拟预测的趋势一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	滕支刚	江南大学物联网工程学院	4	3	1.0	1.0
2	景亚霓	江南大学物联网工程学院	8	15	2.0	3.0
3	魏志芬		2	6	1.0	2.0