热屏结构对大直径单晶硅生长影响的数值分析

• 作者: 吴志强 周旗钢 姜舰 常青 张果虎 戴小林 汪丽都 滕冉 肖清华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单晶硅 有限元法 热屏
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 508-512
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 2832字
• 语种: 中文

摘要

采用有限元法计算了300 mm硅单晶生长过程中,热屏结构对炉体内温度分布、熔体中流场以及晶体内热应力的影响.计算所用的模型涵盖了晶体生长过程中的主要物理现象,包括结晶潜热的释放、结晶前沿的形变、熔体中热和质的传输以及氧的输运等.计算结果表明使用直壁式热屏时,晶体-熔体界面变得更加平坦同时结晶前沿处的热应力大幅度下降,减少了发生宏观位错的可能性,此外熔体中的氧含量显著降低.